龙蟠©2023AdvancedEnergyMaterials图4.a)Cu6Sn5和Cu6Sn5/氧化物的Cu2p和b)Sn3dXPS光谱。

04 数据概览图1 PtIn6(GeO4)2O和PtIn6(Ga/InO4)2带边结构机理图© 2023AmericanChemicalSociety图2 PtIn6(GaO4)2晶体结构(a),结构基元(b)，科技开工原胞结构(c)，科技开工第一布里渊区路径(d)© 2023AmericanChemicalSociety图3 PtIn6(GeO4)2O和PtIn6(Ga/InO4)2能带结构图© 2023AmericanChemicalSociety图4 PtIn6(GaO4)2的CBM电子云密度分布图© 2023AmericanChemicalSociety图5 PtIn6(GeO4)2O和PtIn6(Ga/InO4)2的Bader电荷以及ELF化学键分析© 2023AmericanChemicalSociety图6 PtIn6(GeO4)2O和PtIn6(Ga/InO4)2的吸收光谱和带边位置© 2023AmericanChemicalSociety05 成果启示作者通过理论计算揭示了PtIn6(GeO4)2OandPtIn6(Ga/InO4)2中窄带隙的成因，预测了其成为高效光解水制氢催化剂的潜质，并为更多新型的高效d10金属氧化物光催化剂的设计和开发提供了借鉴。二价In2+最外层s轨道具有单电子，年产但该类氧化物却没有表现出金属性，反而呈现出窄带隙的半导体特征。

但这类氧化物的禁带宽度往往较大，制正式只能吸收紫外光，限制了其进一步的应用。02 成果掠影基于此，氢电重庆科技学院王融等人报道了一类窄带隙的In2+基金属氧化物，PtIn6(GeO4)2O和PtIn6(Ga/InO4)2。d10金属如In2O3，解槽ZnO，Zn2GeO4，GeO2等，导带底通常呈现弥散的特征（金属外层s轨道构成），表现出高效的电子迁移能力。

03 核心创新点通过理论计算研究了半导体性质的起源：项目化学键分析表明，项目In2+和O2-之间通过s-p杂化形成反键轨道将进一步和In2+空的p轨道杂化，并且由于结构中存在PtIn6八面体，相邻的In2+和In2+之间将会进一步相互作用，形成最终的带边结构。01 导读利用太阳光分解水制氢是未来解决能源危机的理想策略之一，龙蟠选择高效的光催化剂至关重要。

研究成果以First-PrinciplesCalculationsonNarrow-BandGapd10 MetalOxidesforPhotocatalyticH2 Production:RoleofUnusualIn2+ CationsinBandEngineering为题目发表在Inorg.Chem.,2023,doi:10.1021/acs.inorgchem.3c00859上，科技开工重庆绿色智能技术研究院杨晓辉为本文共同通讯作者

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项目该工作有望开拓石墨烯市场。文献链接：龙蟠https://doi.org/10.1002/anie.2020045102、龙蟠JACS:多晶有机纳米晶中的光致发光各向异性中科院化学研究所姚建年院士团队成功地从铂（II）-β-二酮酸酯络合物制备了两个多晶型纳米晶体PtD-g和PtD-y。